Меню Главная Случайная статья Настройки Буля Материал из https://ru.wikipedia.org Буля (от англ. boule) — монокристаллический слиток, изготовленный синтетическим способом[1]. Буля кремния является исходным материалом для большинства интегральных схем, используемых сегодня. В полупроводниковой промышленности синтетические були могут быть изготовлены несколькими методами, такими как метод Бриджмена[2] и процесс Чохральского, в результате которого получается цилиндрический стержень материала. В процессе Чохральского требуется затравочный кристалл для создания большего кристалла, или слитка. Эту затравку опускают в чистый расплавленный кремний и медленно вытягивают. Расплавленный кремний растёт на затравочном кристалле. По мере того, как затравка вытягивается, кремний твердеет и, наконец, образуется большая, цилиндрическая буля[3]. Полупроводниковый кристалл були обычно режут на круглые пластины с помощью алмазной пилы, и каждая пластина полируется для получения подложек[уточнить ссылку 2101 день], пригодных для изготовления полупроводниковых приборов на поверхности[4]. Процесс также используется для создания сапфиров, которые используются в качестве подложек в производстве синих и белых светодиодов и в качестве защитного покрытия для часов[5]. Примечания Epitaxial Growth of Silicon Carbide // Fundamentals of Silicon Carbide Technology. — Singapore: John Wiley & Sons Singapore Pte. Ltd, 2014-09-26. — С. 75–124. — ISBN 9781118313534, 9781118313527. Yoshinori Furukawa. Snow and Ice Crystal Growth // Handbook of Crystal Growth. — Elsevier, 2015. — С. 1061–1112. — ISBN 9780444563699. S.N. Rea. LSSA Large Area Silicon Sheet Task: continuous Czochralski process development. Quarterly report No. 2, January--March 1978. Texas Instruments report No. 03-78-11. — Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 1978-04-01. Bose, Gouranga. IC fabrication technology. — New Delhi. — xv, 353 pages с. — ISBN 9781259029585, 1259029581.