Обнаруженные фундаментальные закономерности взаимодействия d-s,р-электронов положены в основу разработанных Домашевской Э.П. оригинальных методик исследования механизмов межатомного взаимодействия и фазового профиля тонкоплёночных гетероструктур, составляющих технологическую основу твердотельной электроники.