Меню
Главная
Случайная статья
Настройки
|
Микропроцессор МЦСТ R-150 (1891ВМ1) российской фирмы МЦСТ из серии процессоров МЦСТ-R, основанной на архитектуре SPARC, изначально разработанной в 1985 году компанией Sun Microsystems. Полностью программно совместим с архитектурой SPARC V8. Изготавливается с 2001 года. Кремниевые пластины производятся в Израиле на фабрике Tower Semiconductor, а корпусированием и тестированием процессоров занимается компания ASE[1](Тайвань).[1]
Представляет собой одноядерную систему на кристалле с встроенными кэшем первого уровня. Для связи процессоров друг с другом, с модулями памяти и устройствами ввода-вывода в архитектуре SPARC предусмотрена шина MBus — высокоскоростная шина, обеспечивающая когерентность кэш-памяти процессоров в многопроцессорных структурах. Микросхема разработана по технологическим нормам 0,35 мкм с использованием библиотек стандартных элементов.
Микропроцессор R-150 предназначен для создания ЭВМ для стационарных и встроенных решений, а также может размещаться в мезонинных микропроцессорных модулях. Используется главным образом по заказам Министерства обороны Российской Федерации.
Основные характеристики микропроцессора «R-150»[2]
Характеристики |
Значения
|
1 |
Технологический процесс |
КМОП 0,35 мкм
|
2 |
Рабочая тактовая частота |
150 МГц
|
3 |
Размер слов: |
32/64
|
4 |
Кэш-память команд 1-го уровня |
8 Кбайт (2 way)
|
5 |
Кэш-память данных 1-го уровня |
16 Кбайт (4 way)
|
6 |
Внешняя кэш-память 2-го уровня |
1 Мбайт
|
7 |
Пропускная способность шин связи с кэш памятью 2-го уровня |
1,2 Гбайт/с
|
8 |
Пропускная способность шины MBus |
0,4 Гбайт/с
|
9 |
Площадь кристалла |
100 мм
|
10 |
Количество транзисторов |
2,8 млн
|
11 |
Количество слоев металла |
4
|
12 |
Тип корпуса / количество выводов |
BGA / 480
|
13 |
Напряжение питания |
3,3 В
|
14 |
Рассеиваемая мощность |
<4 Вт
|
Примечания
- http://www.electronics.ru/issue/2003/3/9 (неопр.). Дата обращения: 22 января 2009. Архивировано 7 декабря 2010 года.
- Выпуск микропроцессора МЦСТ R150
Источники
|
|