Меню
Главная
Случайная статья
Настройки
|
Микропроцессор МЦСТ R-500 (1891ВМ2) российской фирмы МЦСТ из серии процессоров МЦСТ-R, основанной на архитектуре SPARC, изначально разработанной в 1985 году компанией Sun Microsystems. Полностью программно совместим с архитектурой SPARC v8.
Представляет собой одноядерную систему на кристалле с встроенными кэшем первого уровня. Для связи процессоров друг с другом, с модулями памяти и устройствами ввода-вывода в архитектуре SPARC предусмотрена шина MBus — высокоскоростная шина, обеспечивающая когерентность кэш-памяти процессоров в многопроцессорных структурах. Микросхема разработана по технологическим нормам 0,13 мкм с использованием библиотек стандартных элементов.
Микропроцессор R-500 предназначен для создания ЭВМ для носимых и встроенных решений, а также может размещаться в мезонинных микропроцессорных модулях. Используется главным образом по заказам Министерства обороны Российской Федерации. Изготавливается с 2004 года. Производство осуществляется на заводе TSMC на Тайване, с ноября 2009 года производство планировалось перенести на завод «Ангстрем», строящийся в Зеленограде.
Основные характеристики микропроцессора «R-500»[1][2]
| Характеристики |
Значения
|
| 1 |
Технологический процесс |
КМОП 0,13 мкм
|
| 2 |
Рабочая тактовая частота |
500 МГц
|
| 3 |
Размер слов: |
32/64
|
| 4 |
Кэш-память команд 1-го уровня |
16 Кбайт (4 way)
|
| 5 |
Кэш-память данных 1-го уровня |
32 Кбайт (8 way)
|
| 6 |
Внешняя кэш-память 2-го уровня |
4 Мбайт
|
| 7 |
Пропускная способность шин связи с кэш памятью 2-го уровня |
1,6 Гбайт/с
|
| 8 |
Пропускная способность шины MBus |
0,8 Гбайт/с
|
| 9 |
Площадь кристалла |
25 мм
|
| 10 |
Количество транзисторов |
4,9 млн
|
| 11 |
Количество слоев металла |
8
|
| 12 |
Тип корпуса / количество выводов |
BGA / 376
|
| 13 |
Напряжение питания |
1/2,5 В
|
| 14 |
Рассеиваемая мощность |
<1 Вт
|
Примечания
- Микропроцессор МЦСТ R500 Архивная копия от 2 июля 2014 на Wayback Machine в каталоге компании
- Выпуск микропроцессора МЦСТ R500
Источники
|
|