Меню Главная Случайная статья Настройки Модель МОП-транзистора ЭКВ Материал из https://ru.wikipedia.org ЭКВ (EKV MOSFET model) — математическая модель МОП-транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования аналоговых интегральных схем.[1] Модель была разработана К. Энцем, Ф. Круменахером и Е. А. Виттосом (название модели составлено из первых букв фамилий авторов) в 1995 году, однако основа модели была заложена в 1980-х годах.[2] В отличие от моделей с квадратичным уравнением (Quadratic Model), модель ЭКВ отличается точностью также в подпороговой области работы МОП-транзистора (например, если Vbulk=Vsource тогда МОП-транзистор находится в подпорговой области Vgate-source < VThreshold). Кроме того, модель ЭКВ содержит много дополнительных специализированных эффектов, которые важны при проектировании микро- и субмикронных КМОП-интегральных схем. См. также Transistor model[англ.] MOSFET Ngspice SPICE BSIM4 Примечания Enz, C. C.; Krummenacher, F.; Vittoz, E.A. (1995), An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications, Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design, vol. 8 (published July 1995), pp. 83–114 Ссылки EKV COMPACT MOSFET MODEL - страница модели на сайте EPFL  (англ.) Chrustian Enz - личная страница на сайте EPFL Franois Krummenacher - личная страница на сайте EPFL IEEE Donald O. Pederson Award in Solid-State Circuits Recipients, 2004 (Vittoz recognized for pioneering contributions to low-power device modeling and CMOS circuit design, IEEE Solid-State Circuits Society Newsletter. Volume: 8, Issue: 4, Oct. 2003 pp 1-4) (англ.) A Basic Property of MOS Transistors and its Circuit Implications, WCM-MSM 2003 (англ.)