Меню

Главная
Случайная статья
Настройки
Резистор Мёбиуса
Материал из https://ru.wikipedia.org

Резистор Мёбиуса является электрическим компонентом, состоящим из двух проводящих поверхностей, отделенных друг от друга диэлектрическим материалом, скрученных на 180 ° и образующих Лист Мёбиуса. Он представляет собой резистор, который не имеет собственной индуктивности, это значит, что он может противостоять потоку электроэнергии, в то же время не вызывая магнитных помех[1]. Недостаток — большая паразитная ёмкость.

Содержание

Описание

Резистор Мёбиуса, как объект изобретения, запатентован в США 16 августа 1966 года Девисом Ричадом (Davis Richard L.)[2].

Два ленточных проводника одинаковой длины прикреплены на противоположных сторонах полосы диэлектрика. Затем сборке придается один поворот, и концы соединяются, образуя поверхность Мебиуса. Концы проводников спаяны вместе, а выводы резисторов присоединены к прямо противоположным паяным соединениям. Ток, подаваемый на клеммы, будет распространяться в противоположных направлениях, так что электромагнитные поля нейтрализуют друг друга, в результате чего получается по существу неиндуктивный, не реактивный резистор с низкой постоянной времени [3].

Индуктивность резистора Мёбиуса можно вывести из закона Ампера:



Преимущества и недостатки

Преимущества
  • Низкая индуктивность: Отлично работает в радиочастотных цепях
  • Сниженные ЭМП: Противоположные токи устраняют электромагнитные излучения
  • Точность: Высокая стабильность сопротивления в условиях ВЧ-сигналов


Ограничения
  • Сложность изготовления
  • Паразитная ёмкость между проводниками
  • Механическая хрупкость по сравнению с обычными резисторами


Примеры использования
  • Точные измерительные приборы


Используются в лабораторных вольтметрах, эталонных резисторах и чувствительных датчиках, где критично исключение паразитной индуктивности[4]
  • Радиочастотные цепи (RF)


Применяются в ВЧ-фильтрах, аттенюаторах и усилителях, где требуется линейная частотная характеристика без реактивной составляющей.[5]
  • Медицинская аппаратура


Используются в приборах ЭКГ и ЭЭГ, где необходимо минимизировать влияние электромагнитных помех на точность сигнала. [6]
  • Квантовые и топологические исследования


Экспериментальные платформы с геометрией ленты Мёбиуса используются в исследованиях топологических изоляторов и квантовых состояний вещества.[7]
  • Учебные и демонстрационные модели


Резисторы Мёбиуса часто включаются в курсы по топологии, схемотехнике и физике, демонстрируя связь между геометрией и функциональностью.[8]
  • Аэрокосмическая и военная электроника


Используются в системах, где критично снизить уровень электромагнитных помех, обеспечить надёжность и быстродействие. [9]

Связь с лентой Мёбиуса

Лента Мёбиуса — это математически уникальная фигура с одной стороной и одной границей. Именно благодаря её свойствам резистор получает антисинфазное протекание токов, исключающее индуктивность. Использование этой топологии иллюстрирует, как абстрактная математика может вдохновить инженерные решения в реальной электронике.

Патенты

Примечания
  1. R.L. Davis, Noninductive Resistor, collection of articles at rexresearch.com. Дата обращения: 15 мая 2009. Архивировано 22 мая 2011 года.
  2. Патент Дэвиса Ричарда - 3267406. Дата обращения: 6 марта 2023. Архивировано 6 марта 2023 года.
  3. Davis, R. L. Moebius Resistor Is Noninductive and. Nonreactive (англ.) // AEC-NASA TECH BRIEF. — 1968. — 1 July. Архивировано 6 марта 2023 года.
  4. Non-inductive electrical resistor. Дата обращения: 12 апреля 2025.
  5. Resistors | Ohm's Law | Electronics Textbook (англ.). www.allaboutcircuits.com. Дата обращения: 12 апреля 2025.
  6. researchgate.
  7. Yao Chen, Jiankun Hou, Guolin Zhao, Xianfeng Chen, Wenjie Wan. Topological resonances in a Mbius ring resonator (англ.) // Communications Physics. — 2023-04-25. — Vol. 6, iss. 1. — P. 1–7. — ISSN 2399-3650. — doi:10.1038/s42005-023-01205-0.
  8. Mbius Strips and Metamaterial Symmetry: Theory and Applications | 2014-11-15 | Microwave Journal (англ.). www.microwavejournal.com. Дата обращения: 12 апреля 2025.
  9. Defense Technical Information Center (англ.). apps.dtic.mil. Дата обращения: 12 апреля 2025. Архивировано 2 февраля 2025 года.


https://image-ppubs.uspto.gov/dirsearch-public/print/downloadPdf/3267406

Ссылки
Downgrade Counter