Меню
Главная
Случайная статья
Настройки
|
Латентность (в том числе англ. CAS Latency, CL; жарг. тайминг) — временная задержка сигнала при работе динамической оперативной памяти со страничной организацией, в частности, SDRAM. Эти временные задержки также называют таймингами и для краткости записывают в виде трёх чисел, по порядку: латентность строба адреса столбца — Column Address Strobe (CAS) latency (CL), задержка активации строки — Row Address to Column Address Delay (TRCD) и время обновления (предзаряда) строки — Row Precharge Time (TRP). От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и задержки чтения данных из памяти и, как следствие, быстродействие системы.
Мера латентности — такт шины[какой?] памяти. Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS-латентность.
Иногда формула латентности памяти может состоять из четырёх цифр, например 2-2-2-6. Последний параметр называется временем рабочего цикла DRAM — DRAM Cycle Time (TRAS/TRC) и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала времени активности строки — Row Active Time, так же называемого латентностью строба адреса строки — Row Address Strobe (TRAS), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления (предзаряда) строки — Row Cycle Time (TRC), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).
Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о рекомендуемых значениях таймингов для наиболее распространенных частот системной шины. На планке памяти информация хранится в чипе SPD[англ.] и доступна чипсету. Просмотреть эту информацию можно программным образом, например, программой CPU-Z.
С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти до её покупки. Таймингам памяти поколений DDR и DDR2 придавалось большое значение, поскольку кэш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется меньше внимания, поскольку современные процессоры (например AMD Bulldozer, Trinity и Intel Core i5, i7) имеют сравнительно большие L2-кэши и снабжены огромным L3-кэшем, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа и её данные целиком помещается в кэш процессора (см. Иерархия памяти).
Содержание
Тайминги
| Имя параметра |
Обозначение |
Определение
|
Латентность строба адреса столбца
(CAS-латентность)
|
CL
|
Задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта.
|
Задержка активации строки
(Row Address to Column Address Delay)
|
TRCD
|
Число тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки — TRCD + CL.
|
Время обновления (предзаряда) строки
(Row Precharge Time)
|
TRP
|
Число тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка — TRP + TRCD + CL.
|
Время активности строки
(Row Active Time)
|
TRAS
|
Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Минимальное время между активацией и предварительной зарядкой ряда памяти. Это количество циклов, в течение которых строка памяти может быть доступна для чтения/записи. Обычно примерно равно не ниже TRCD + TRP.
|
Примечания:
- RAS : Row Address Strobe — строб адреса строки
- CAS : Column Address Strobe — строб адреса столбца
- TWR : Write Recovery Time, время, между последней командой на запись и предзарядом. Обычно TRAS = TRCD + TWR.
- TRC : Row Cycle Time. TRC = TRAS + TRP.
|
CAS-латентность
CAS-латентность (от англ. column address strobe latency, CAS latency, CL, CAS-задержка) — это период ожидания (выраженный в количестве циклов тактовой частоты шины памяти) между запросом процессора на получение содержимого ячейки памяти из открытой строки и временем, когда оперативная память сделает доступной для чтения первую ячейку запрошенного адреса.
Модули памяти SDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 1, 2 или 3 циклам. Модули DDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 2 или 2,5.
На модулях памяти обозначается как CAS или CL. Пометка CAS2, CAS-2, CAS=2, CL2, CL-2 или CL=2 обозначает величину задержки, равную 2.
Примерные данные CAS-латентности памяти
Примерные данные CAS-латентности памяти
| Поколение
|
Тип
|
Скорость передачи данных
(мегатранзакций в секунду)
|
Время передачи бита
|
Скорость выдачи команд
|
Длительность цикла
|
CL
|
1-е слово
|
4-е слово
|
8-е слово
|
| SDRAM
|
PC100
|
100 МТ/с
|
10 нс
|
100 МГц
|
10 нс
|
2
|
20 нс
|
50 нс
|
90 нс
|
| PC133
|
133 МТ/с
|
7,5 нс
|
133 МГц
|
7,5 нс
|
3
|
22,5 нс
|
45 нс
|
75 нс
|
| DDR SDRAM
|
DDR-333
|
333 МТ/с
|
3 нс
|
166 МГц
|
6 нс
|
2,5
|
15 нс
|
24 нс
|
36 нс
|
| DDR-400
|
400 МТ/с
|
2,5 нс
|
200 МГц
|
5 нс
|
3
|
15 нс
|
22,5 нс
|
32,5 нс
|
| 2,5
|
12,5 нс
|
20 нс
|
30 нс
|
| 2
|
10 нс
|
17,5 нс
|
27,5 нс
|
| DDR2 SDRAM
|
DDR2-667
|
667 МТ/с
|
1,5 нс
|
333 МГц
|
3 нс
|
5
|
15 нс
|
19,5 нс
|
25,5 нс
|
| 4
|
12 нс
|
16,5 нс
|
22,5 нс
|
| DDR2-800
|
800 МТ/с
|
1,25 нс
|
400 МГц
|
2,5 нс
|
6
|
15 нс
|
18,75 нс
|
23,75 нс
|
| 5
|
12,5 нс
|
16,25 нс
|
21,25 нс
|
| 4,5
|
11,25 нс
|
15 нс
|
20 нс
|
| 4
|
10 нс
|
13,75 нс
|
18,75 нс
|
| DDR2-1066
|
1066 МТ/с
|
0,95 нс
|
533 МГц
|
1,9 нс
|
7
|
13,13 нс
|
15,94 нс
|
19,69 нс
|
| 6
|
11,25 нс
|
14,06 нс
|
17,81 нс
|
| 5
|
9,38 нс
|
12,19 нс
|
15,94 нс
|
| 4,5
|
8,44 нс
|
11,25 нс
|
15 нс
|
| 4
|
7,5 нс
|
10,31 нс
|
14,06 нс
|
| DDR3 SDRAM
|
DDR3-1066
|
1066 МТ/с
|
0,9375 нс
|
533 МГц
|
1,875 нс
|
7
|
13,13 нс
|
15,95 нс
|
19,7 нс
|
| DDR3-1333
|
1333 МТ/с
|
0,75 нс
|
666 МГц
|
1,5 нс
|
9
|
13,5 нс
|
15,75 нс
|
18,75 нс
|
| 6
|
9 нс
|
11,25 нс
|
14,25 нс
|
| DDR3-1375
|
1375 МТ/с
|
0,73 нс
|
687 МГц
|
1,5 нс
|
5
|
7,27 нс
|
9,45 нс
|
12,36 нс
|
| DDR3-1600
|
1600 МТ/с
|
0,625 нс
|
800 МГц
|
1,25 нс
|
9
|
11,25 нс
|
13,125 нс
|
15,625 нс
|
| 8
|
10 нс
|
11,875 нс
|
14,375 нс
|
| 7
|
8,75 нс
|
10,625 нс
|
13,125 нс
|
| 6
|
7,50 нс
|
9,375 нс
|
11,875 нс
|
| DDR3-2000
|
2000 МТ/с
|
0,5 нс
|
1000 МГц
|
1 нс
|
10
|
10 нс
|
11,5 нс
|
13,5 нс
|
| 9
|
9 нс
|
10,5 нс
|
12,5 нс
|
| 8
|
8 нс
|
9,5 нс
|
11,5 нс
|
| 7
|
7 нс
|
8,5 нс
|
10,5 нс
|
Литература
Ссылки
|
|