Меню
Главная
Случайная статья
Настройки
|
Сверхрешётка — в физике полупроводников — твердотельная структура, в которой помимо периодического потенциала кристаллической решётки имеется дополнительный периодический потенциал, период которого существенно превышает постоянную решётки[1].
Содержание
Виды сверхрешёток
Различают следующие виды сверхрешёток:
- Композиционные сверхрешётки — эпитаксиально выращенные периодически чередующиеся тонкие слои полупроводников с различной шириной запрещённой зоны[2].
- Легированные сверхрешётки — периодический потенциал образуется путём чередования ультратонких слоёв n- и p-типов полупроводника, которые отделяются друг от друга нелегированными слоями[3].
- Спиновые сверхрешётки — образованные периодическим чередованием слоёв одного и того же полупроводника. Одни слои легируются немагнитными примесями, а другие — магнитными. Без магнитного поля энергетическая щель во всей сверхрешётке постоянна, периодический потенциал возникает при наложении магнитного поля[4].
- Сверхрешётки, сформированные в двумерном электронном слое (например в системе МДП: металл-диэлектрик-полупроводник) путём периодической модуляции плоскости поверхностного заряда.
- Сверхрешётки, потенциал в которых создаётся периодической деформацией образца в поле мощной ультразвуковой или стоячей световой волны.
Наряду со сверхрешётками из полупроводников, существуют также магнитные сверхрешётки и сегнетоэлектрические сверхрешётки.
Первооткрывателями твердотельных полупроводниковых сверхрешёток являются Тсу и Эсаки.
Первооткрывателями магнитных Fe/Cr сверхрешёток являются А. Ферт и П. Грюнберг (Нобелевская премия по физике 2007) [5].
Применение
В микроэлектронике сверхрешётки применяются для создания генераторных, усилительных и преобразовательных устройств в милли- и субмиллиметровом диапазоне волн. Переход к использованию элементов микроэлектроники на основе сверхрешёток необходим при размерах элементов менее 0,3 мкм, когда традиционные транзисторные структуры окажутся неработоспособными[привести цитату? 1865 дней] из-за фундаментальных физических ограничений[6]
Примеры применения магнитных сверхрешёток: магниторезистивная оперативная память, спиновый вентиль, туннельное магнитосопротивление (см. Спинтроника).
Примечания
- Бузанева, 1990, с. 203—241.
- Бузанева, 1990, с. 205—209.
- Бузанева, 1990, с. 210—213.
- Бузанева, 1990, с. 231—233.
- Ведяев, 1995, с. 72—79.
- Бузанева, 1990, с. 235—241.
См. также
Литература- R. Tsu and L. Esaki. Tunneling in a finite superlattice (англ.) // Applied Physics Letters. — 1973. — Vol. 22. — P. 562. — doi:10.1063/1.1654509.
- Бузанева Е. В. Микроструктуры интегральной электроники. — М.: Радио и связь, 1990. — 304 с.
|
|